松岡研究室の紹介

 ユビキタス通信などの高度情報化社会を支えるエレクトロニクスの発展において、電子材料はキーとなっています。新しい電子材料の出現が、エレクトロニクスに革命的な発展をもたらします。本研究室ではこれまで、デバイス開発を念頭におき、新しい電子材料の研究開発に取り組んでいます。現在取り上げている材料は、青色発光ダイオードに用いられている窒化物半導体です。1987年のInGaAlN の提案以来、有機金属気相成長法によるエピタキシャル成長、混晶材料の混和領域の予測、種々のエピタキシャル成長用基板の提案、結晶成長や物性との結晶極性との関わりなどの研究を、特にインジウムを含む系について行ってきました。さらに、InN のバンドギャップが従来言われていた可視域ではなく赤外域にあることを明らかにしました。
 現在は、InNの加圧エピタキシャル成長と光学素子応用を進め、特に通信用レーザ光源への適用の可能性を探索するとともに、N極性InGaNを用いた光学・電子デバイスの高品質化、エキゾチック基板・プロセスの利用による窒化物デバイスの高性能化、ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の作製と物性応用を研究しています。

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お知らせ

2018年 6月27日応物Newsletter「おうぶつ」第28号が発行されました。
2018年 4月 1日メンバーリストを更新しました。
2018年 3月30日木村研究員が退職しました。
2018年 3月27日ウット君が博士課程を修了し、学位を取得しました。田中君、萩原君が修士課程を修了しました。尾坪君、平松君が学部を卒業しました。
2018年 3月17-20日第65回応用物理学会春季学術講演会で、松岡教授が赤崎勇賞受賞記念講演を、谷川講師と大西君が口頭発表を行いました。
2018年 3月17日松岡教授が第8回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞)を受賞しました。
2018年 2月22日谷川講師の発表論文がAPEXに掲載されました.
2018年 1月27-2月1日SPIE Photonics West 2018, Gallium Nitride Materials and Devices XIIIで松岡教授が招待講演を行いました。
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Last-modified: 2018-07-25 (水) 15:42:33 (27d) トップ   編集 凍結解除 差分 バックアップ 添付 複製 名前変更 リロード   新規 一覧 単語検索 最終更新   ヘルプ   最終更新のRSS