松岡研究室の紹介

 ユビキタス通信などの高度情報化社会を支えるエレクトロニクスの発展において、電子材料はキーとなっています。新しい電子材料の出現が、エレクトロニクスに革命的な発展をもたらします。本研究室ではこれまで、デバイス開発を念頭におき、新しい電子材料の研究開発に取り組んでいます。現在取り上げている材料は、青色発光ダイオードに用いられている窒化物半導体です。1987年のInGaAlN の提案以来、有機金属気相成長法によるエピタキシャル成長、混晶材料の混和領域の予測、種々のエピタキシャル成長用基板の提案、結晶成長や物性との結晶極性との関わりなどの研究を、特にインジウムを含む系について行ってきました。さらに、InN のバンドギャップが従来言われていた可視域ではなく赤外域にあることを明らかにしました。
 現在は、InNの加圧エピタキシャル成長と光学素子応用を進め、特に通信用レーザ光源への適用の可能性を探索するとともに、N極性InGaNを用いた光学・電子デバイスの高品質化、エキゾチック基板・プロセスの利用による窒化物デバイスの高性能化、ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の作製と物性応用を研究しています。

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お知らせ

2019年 3月31日本部門は平成31年3月31日をもって閉室となりました。今までありがとうございました。
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Last-modified: 2019-12-12 (木) 15:29:36 (46d) トップ   編集 凍結解除 差分 バックアップ 添付 複製 名前変更 リロード   新規 一覧 単語検索 最終更新   ヘルプ   最終更新のRSS