松岡研究室の紹介

 ユビキタス通信などの高度情報化社会を支えるエレクトロニクスの発展において、電子材料はキーとなっています。新しい電子材料の出現が、エレクトロニクスに革命的な発展をもたらしま  現在は、InNの加圧エピタキシャル成長と光学素子応用を進め、特に通信用レーザ光源への適用の可能性を探索するとともに、N極性InGaNを用いた光学・電子デバイスの高品質化、エキゾチック基板・プロセスの利用による窒化物デバイスの高性能化、ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の作製と物性応用を研究しています。

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お知らせ

2019年 3月31日本部門は平成31年3月31日をもって閉室となりました。今までありがとう。
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